微電子元件是小型化的電子器件，使用芯片和微電子系統(tǒng)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，因此可以使電路和器件性能，可靠性大大提高，大大降低了尺寸和成本。微電子器件包括半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體器件。集成電路包括數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)字模擬混合（混合信號(hào)）集成電路的半導(dǎo)體集成電路。半導(dǎo)體器件包括微波功率器件和其它分立半導(dǎo)體器件。微電子技術(shù)分為單片集成電路、分立半導(dǎo)體器件、混合集成技術(shù)和微組裝封裝技術(shù)。

微電子技術(shù)與微電子技術(shù)發(fā)展的工防發(fā)展規(guī)律。在過(guò)去的50年里，特別是在過(guò)去30年中，微電子技術(shù)是沿著平行和獨(dú)立的路線，第一行是按照穆?tīng)柕姆蛇M(jìn)展，硅數(shù)字集成電路（技術(shù)推動(dòng)）。工防硅集成電路面臨的挑戰(zhàn)是如何解決芯片結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)的復(fù)雜問(wèn)題。同時(shí)，高度可靠的半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)路線圖是按照發(fā)展的成功，形成微電子組件的主流技術(shù)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，以及聯(lián)合發(fā)展的工防和民用集成電路的情況。二是目前工防要求的主要借鑒。由于工防電子裝備的迫切需求，高頻設(shè)備，主要解決微波毫米波功率器件和單片微波集成電路（MMIC），和化合物半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)人們?nèi)ド钊胙芯俊２煌墓杓呻娐?，微波功率器件和單片微波集成電路的主要挑?zhàn)是一舉三得，即解決了化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)的控制問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的一致性；實(shí)現(xiàn)無(wú)源阻抗匹配元件芯片上的布線管理；實(shí)現(xiàn)控制芯片的信號(hào)傳輸阻抗。

我們的工防微電子元件經(jīng)過(guò)多年的努力，特別是通過(guò)近10年的快速發(fā)展，工防集成電路實(shí)現(xiàn)了0.25μm-0.5μm，技術(shù)水平在5英寸6英寸；產(chǎn)品設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)0.18μm-90nm，數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的大門(mén)的能力數(shù)。工防4英寸和vshic GaAs MMIC技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā)從0.5米到0.25米μμ提高線；性能的信號(hào)處理裝置可與奔騰芯片586cpu /源/ DSP和powerpc603e星抗輻射處理器兼容（SPARCv8）基于SOI 1750A微處理器技術(shù)，如開(kāi)發(fā)成功和狹窄中國(guó)與國(guó)際水平的差距；已經(jīng)敲定為386 / 387中，486和其他兼容的CPU，TMS320C25 / 3X / 50和ADSP21160和其他兼容的DSP；4 bit-16m位存儲(chǔ)器、高性能陣列器件等，可替代進(jìn)口產(chǎn)品。8高速A/D轉(zhuǎn)換器、12位50MSPS的A / D轉(zhuǎn)換器，16使用A / D轉(zhuǎn)換器，14位300MHz的DDS和抗輻射器件的直流/直流電源等已研制成功緩解高科技武器的迫切需要。硅雙極功率GaAs MMIC器件和基本實(shí)踐設(shè)備已經(jīng)能夠覆蓋18GHz產(chǎn)品下，GaN和SiC寬禁帶半導(dǎo)體微波功率器件取得重大突破。