談?wù)撐㈦娮咏M件的開發(fā)
微電子元件是小型化的電子器件,使用芯片和微電子系統(tǒng)技術(shù)的實現(xiàn),因此可以使電路和器件性能,可靠性大大提高,大大降低了尺寸和成本。微電子器件包括半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體器件。集成電路包括數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)字模擬混合(混合信號)集成電路的半導(dǎo)體集成電路。半導(dǎo)體器件包括微波功率器件和其它分立半導(dǎo)體器件。微電子技術(shù)分為單片集成電路、分立半導(dǎo)體器件、混合集成技術(shù)和微組裝封裝技術(shù)。
微電子技術(shù)與微電子技術(shù)發(fā)展的工防發(fā)展規(guī)律。在過去的50年里,特別是在過去30年中,微電子技術(shù)是沿著平行和獨立的路線,第一行是按照穆爾的法律進(jìn)展,硅數(shù)字集成電路(技術(shù)推動)。工防硅集成電路面臨的挑戰(zhàn)是如何解決芯片結(jié)構(gòu)和設(shè)計的復(fù)雜問題。同時,高度可靠的半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)路線圖是按照發(fā)展的成功,形成微電子組件的主流技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā),以及聯(lián)合發(fā)展的工防和民用集成電路的情況。二是目前工防要求的主要借鑒。由于工防電子裝備的迫切需求,高頻設(shè)備,主要解決微波毫米波功率器件和單片微波集成電路(MMIC),和化合物半導(dǎo)體驅(qū)動人們?nèi)ド钊胙芯俊2煌墓杓呻娐?,微波功率器件和單片微波集成電路的主要挑?zhàn)是一舉三得,即解決了化合物半導(dǎo)體材料生長的控制問題,實現(xiàn)設(shè)備的一致性;實現(xiàn)無源阻抗匹配元件芯片上的布線管理;實現(xiàn)控制芯片的信號傳輸阻抗。
我們的工防微電子元件經(jīng)過多年的努力,特別是通過近10年的快速發(fā)展,工防集成電路實現(xiàn)了0.25μm-0.5μm,技術(shù)水平在5英寸6英寸;產(chǎn)品設(shè)計實現(xiàn)0.18μm-90nm,數(shù)以百萬計的大門的能力數(shù)。工防4英寸和vshic GaAs MMIC技術(shù)的研究和開發(fā)從0.5米到0.25米μμ提高線;性能的信號處理裝置可與奔騰芯片586cpu /源/ DSP和powerpc603e星抗輻射處理器兼容(SPARCv8)基于SOI 1750A微處理器技術(shù),如開發(fā)成功和狹窄中國與國際水平的差距;已經(jīng)敲定為386 / 387中,486和其他兼容的CPU,TMS320C25 / 3X / 50和ADSP21160和其他兼容的DSP;4 bit-16m位存儲器、高性能陣列器件等,可替代進(jìn)口產(chǎn)品。8高速A/D轉(zhuǎn)換器、12位50MSPS的A / D轉(zhuǎn)換器,16使用A / D轉(zhuǎn)換器,14位300MHz的DDS和抗輻射器件的直流/直流電源等已研制成功緩解高科技武器的迫切需要。硅雙極功率GaAs MMIC器件和基本實踐設(shè)備已經(jīng)能夠覆蓋18GHz產(chǎn)品下,GaN和SiC寬禁帶半導(dǎo)體微波功率器件取得重大突破。
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